IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD60R280P7SAUMA1 bằng Infineon và IPD70N10S312ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD70N10S312ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | 70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA1 |
| Product Family | — | OptiMOS-T Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 4355 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 65 nC @ 10 V |
| Operating Temperature (TJ) | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green product, RoHS compliant |