IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF540NSTRLPBF par Infineon et IRF2907ZSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF540NSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,55
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) Tape and Reel (left orientation)
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Courant de drain continu (TC=25°C) — 170 A
Courant de drain continu (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Fiches techniques et ressources

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