IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF540NSTRLPBF von Infineon und IRF2907ZSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF540NSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $1,55
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) Tape and Reel (left orientation)
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 170 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern