IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF540NSTRLPBF por Infineon e IRF2907ZSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF540NSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $1,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) Tape and Reel (left orientation)
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 170 A
Corrente de dreno contínua (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Fichas técnicas e recursos

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