IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF540NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF2907ZSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF540NSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $1.55
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
パッケージ D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (SMD)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) Tape and Reel (left orientation)
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 170 A
連続ドレイン電流(TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

データシート&リソース

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