IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF540NSTRLPBF por Infineon y IRF2907ZSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF540NSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $1,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (SMD)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) Tape and Reel (left orientation)
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 170 A
Corriente de drenador continua (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

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