IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF540NSTRLPBF 제조: Infineon 및 IRF2907ZSTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF540NSTRLPBF | IRF2907ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.74 | $1.55 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | Tape and Reel (left orientation) |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 75 V |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | — | 170 A |
| 연속 드레인 전류 (TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | — | 4.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | — | 300 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) |