IRF8734TRPBF vs IRLL024ZTRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF8734TRPBF par Infineon et IRLL024ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF8734TRPBF | IRLL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET) | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 20 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Boîtier / Format | 8-SOIC (SO-8) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Avalanche Energy Rating | Fully characterized avalanche voltage | — |
| Statut RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Lead-free (PBF suffix) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] | 1 (unlimited floor life) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 60 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 1 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | — | SOT-223 (TO-261-4) |