IRF8734TRPBF vs IRLL024ZTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF8734TRPBF bằng Infineon và IRLL024ZTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF - 30V 21A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon | SO-8

IRF8734TRPBF - 30V 21A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon | SO-8

IRF8734TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF8734TRPBF IRLL024ZTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 20 nC —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Hộp / Vỏ 8-SOIC (SO-8) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Avalanche Energy Rating Fully characterized avalanche voltage —
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (PBF suffix) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] 1 (unlimited floor life)
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C
Hộp — SOT-223 (TO-261-4)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá