K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achat
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $50,85 | $5,74 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-96 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Type d'interface | Synchronous, parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto self-refresh |