K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G6NAFR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ 최종 구매
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $50.85 | $5.74 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-96 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| 인터페이스 유형 | Synchronous, parallel | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto self-refresh |