K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G6NAFR-UHC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | ラストバイ | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $50.85 | $5.74 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 512M x 16 |
| データレート | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-96 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 動作温度 | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| インターフェースタイプ | Synchronous, parallel | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto self-refresh |