K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G6NAFR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCTD от Samsung Electronics и H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Последняя закупка
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Последняя закупка | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $50,85 | $5,74 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Корпус | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-96 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Рабочая температура | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Тип интерфейса | Synchronous, parallel | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto self-refresh |