MPXV5010DP vs MPX5010DP तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPXV5010DP द्वारा NXP Semiconductors और MPX5010DP द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPXV5010DP | MPX5010DP |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Pressure Type | Differential | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload] | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| आउटपुट प्रकार | Analog, Ratiometric | Analog, ratiometric |
| आउटपुट वोल्टेज रेंज | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Accuracy | 5 % (over 0 C to 85 C) | — |
| Response Time | 1 ms typical | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | 0 C to +85 C (compensated) |
| Compensated Temperature | 0 C to 85 C | — |
| Port Style | Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side | — |
| पैकेज | 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports | 6-SIP Module |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through-hole (SIP) |
| Technology | Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| सप्लाई करंट | — | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |