1EDN7146UXTSA1 vs IR2304SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7146UXTSA1 מאת Infineon ו IR2304SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7146UXTSA1 IR2304SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
זמן עלייה [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
זמן ירידה [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
מספר יציאות — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר