BSZ031NE2LS5ATMA1 vs IRLH5030TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ031NE2LS5ATMA1 מאת Infineon ו IRLH5030TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ031NE2LS5ATMA1 IRLH5030TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 IRLH5030TRPBF
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C —
מארז PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL] —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר