EP3SE260H780C4L vs EP3SE260H780I4 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE260H780C4L מאת Intel ו EP3SE260H780I4 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE260H780C4L | EP3SE260H780I4 |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | NRND |
| Family | Stratix III E | Stratix III Enhanced (Stratix III E) |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| LABs/CLBs | 10,200 | — |
| Total RAM Bits | 16,672,768 (16.7 Mbit) | — |
| User I/O Count | 488 | — |
| מארז | 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm) | 780-ball FC-HFBGA (HBGA) |
| Speed Grade | C4 (middle/slow tier) | 4 |
| Core Voltage | 0.9 V (nominal) | 1.1 V |
| טמפרטורת צומת פעולה | 0C to +85C (commercial) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (flip-chip BGA) | Surface Mount (BGA) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free per datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Transceivers | Up to 24 multi-gigabit transceivers | — |
| Memory Interface | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers | — |
| Configuration Mode | PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ | — |
| Logic Cells | — | 255,000 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | — | approximately 203,200 |
| Maximum User I/Os | — | 488 |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Embedded RAM (total) | — | approximately 14.4 Mbit (M9K/M144K blocks) |
| DSP Blocks | — | approximately 768 (18x18 multipliers) |
| Maximum Operating Frequency | — | up to 450 MHz core / 717 MHz per Partstack record |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +100C (industrial, 'I' grade) |
| Configuration Schemes | — | JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel, Active Serial |