IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN08S7N024TATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N037GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 - 80V 2.44mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN08S7N024TATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 165 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 157 W | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 2.44 mOhm | — |
| מארז / Case | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Cooling | Top-side cooled | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ] | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| מארז | — | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |