IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUZN04S7L030ATMA1 מאת Infineon ו IAUC64N08S5L075ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUZN04S7L030ATMA1 | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 3.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Operating Junction Temperature (Tj) | -55C to +175C | — |
| Technology Family | OptiMOS-7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| מארז | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A (TJ-limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 7.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 75 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מספר פינים | — | 8 |