IPD33CN10NGATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD33CN10NGATMA1 מאת Infineon ו IPD30N10S3L34ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD33CN10NGATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +175°C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |