IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP045N10N3GXKSA1 מאת Infineon ו IPP100N12S305AKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPP045N10N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS trench
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
מארז TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole TO-220 (PG-TO220-3-1)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
סטטוס RoHS Compliant (per LCSC datasheet excerpt) —
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
רמת MSL N/A (through-hole package) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
זרם ניקוז פועם — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +175 °C
מספר פינים — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר