IRF7309TRPBF vs IRF8736TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7309TRPBF מאת Infineon ו IRF8736TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7309TRPBF IRF8736TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) Single
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V StrongIRFET / HEXFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
מארז 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
סטטוס RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TRPBF suffix)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר