IRFR5305TRLPBF vs IRFR1205TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR5305TRLPBF מאת Infineon ו IRFR1205TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR5305TRLPBF IRFR1205TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] 2 V min, 4 V max
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר