IRFS3006TRL7PP vs IPB60R040CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS3006TRL7PP מאת Infineon ו IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFS3006TRL7PP IPB60R040CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $5.19
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
רמת MSL 1 (unlimited) 1
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
פיזור הספק (TC=25°C) — 227 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר