K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646E-BMK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BMMA מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BMK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $16.08 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| מתח אספקה | 1.35 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| מארז | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps |
| Voltage | — | 1.35 V |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |