M29W800FT70ZA3SF vs M29W800FB70ZA3SE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FT70ZA3SF מאת Micron Technology ו M29W800FB70ZA3SE מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron
M29W800FB70ZA3SE Obsoleteהשוואת מפרטים
| פרמטר | M29W800FT70ZA3SF | M29W800FB70ZA3SE |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | Obsolete |
| סוג זיכרון | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 8 Mbit | — |
| ממשק | Parallel | Parallel, address/data bus |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 2.7 V to 3.6 V | 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 48-TFBGA (6 x 8 mm) | 48-TFBGA (6 x 8 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | — |
| Memory Organization | [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | [DATA_NEEDED: ICC read] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: ICC standby] |
| Package Body Size | 6 x 8 mm | — |
| Ball Pitch | 0.80 mm | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| גודל זיכרון | — | 8 Mbit |
| ארגון | — | 1 M x 8 / 512 K x 16 |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot block (FB) |
| Qualification | — | AEC-Q100 automotive |
| Packaging | — | Tray |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL] |