MPX2200DP vs MPX2100D השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX2200DP מאת NXP Semiconductors ו MPX2100D מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MPX2200DP | MPX2100D |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Motorola) | — |
| Series | MPX2200 | — |
| סוג חיישן | Differential Pressure Sensor (Piezoresistive) | — |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 200 kPa (0 PSI to 29.01 PSI) | 0 kPa to 100 kPa (0 to 14.5 psi) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] | — |
| סוג פלט | Analog Wheatstone Bridge (ratiometric) | Analog ratiometric Wheatstone bridge (millivolts) |
| Output Span | 0 mV to 40 mV at 10 V excitation | — |
| Sensitivity (nominal) | 0.2 mV/kPa | — |
| Pressure Port | Dual Male Tube, 0.19 in (4.93 mm) | — |
| Port Configuration | DP - Dual Port (differential) | — |
| Supply Voltage (recommended) | 10 V DC | — |
| Supply Voltage (max input) | 16 V DC | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | — |
| מארז / Case | 4-SIP Module (Through-Hole) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through-hole SIP module |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant [DATA_NEEDED: confirm from NXP product page] |
| Minimum Order Quantity | 100 (tray pack) | — |
| Min. Package Quantity | 20 (tray) | — |
| Pressure Type | — | Differential |
| Full-Scale Span (Typical) | — | 40 mV at 10 V excitation |
| Sensitivity (Nominal) | — | 0.4 mV/kPa |
| Supply Voltage (Recommended) | — | 10 V DC |
| Supply Voltage (Maximum) | — | 16 V DC |
| Pressure Port Configuration | — | Dual axial ports (differential) |
| מארז | — | 4-SIP Unibody (UNIBODY4F), 2.54 mm pitch |
| Package Body Dimensions | — | 15.56 mm x 15.56 mm x 5.33 mm |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] |
| On-Chip Temperature Compensation | — | Yes (factory laser-trimmed) |
| Technology | — | Silicon piezoresistive MEMS strain-gauge bridge |
| Diaphragm Material | — | Silicon [DATA_NEEDED: confirm] |
| Linearity | — | 0.1% to 0.3% typical [DATA_NEEDED: confirm] |