1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7126GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7116GXTMA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | 1.5 A |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | 1.5 A |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +125 °C | -40C to +125C |
| पैकेज | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-VSON-10-4 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL3 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |