1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7116GXTMA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| פונקציה | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | 1.5 A |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | 1.5 A |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 °C to +125 °C | -40C to +125C |
| מארז | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-VSON-10-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL3 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |