1EDN7136GXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7136GXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDN7434RXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7136GXTMA1 | 2EDN7434RXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 8 A | — |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| पैकेज | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | EiceDRIVER 2EDN |
| Driver Configuration | — | Dual-channel low-side |
| Number of Drivers | — | 2 |
| Peak Output Current | — | 5 A (source/sink) |
| Rated Output Current | — | 4 A |
| Output Resistance (Low) | — | [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] |
| Output Resistance (High) | — | [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] |
| Propagation Delay (Typ.) | — | 19 ns |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL, non-inverting |
| Absolute Max Input Voltage | — | -12 V to +22 V |
| Supply Voltage Range | — | [DATA_NEEDED: VDD range] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| Active Output Voltage Clamping | — | Yes |