1EDN7136GXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7136GXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDN7434RXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7136GXTMA1 2EDN7434RXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Paket PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin