2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2108S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED21834S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED21834S06JXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2ED2108S06FXUMA1 | 2ED21834S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Configuration | Half-Bridge | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Gate Type | N-Channel MOSFET, IGBT | — |
| आउटपुट की संख्या | 2 (high-side + low-side) | — |
| Logic Input | Non-Inverting | — |
| Input Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | 650 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | Yes |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VB) | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| Rise / Fall Time (typ.) | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-14-49 (DSO-14) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Configuration | — | Half-bridge (high-side + low-side) |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | — | 650 V |
| Typical Sink Current | — | 2.5 A |
| Typical Source Current | — | 2.5 A |
| Input Logic | — | Non-Inverting |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| पिन की संख्या | — | 14 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40 °C to +125 °C |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 |