2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2108S06FXUMA1 توسط Infineon و 2ED21834S06JXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2108S06FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 —
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
تعداد پین‌ها — 14
محدوده دمای کاری — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت