2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2108S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED21834S06JXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2108S06FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 —
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
Çıkış Sayısı 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Pin Sayısı — 14
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin