AFT26P100-4WSR3 vs MRF8P26080HSR3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AFT26P100-4WSR3 द्वारा NXP Semiconductors और MRF8P26080HSR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
AFT26P100-4WSR3 AFT26P100-4WSR3 - 22W 2.6GHz Doherty RF LDMOS | NXP

AFT26P100-4WSR3 - 22W 2.6GHz Doherty RF LDMOS | NXP

AFT26P100-4WSR3 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF8P26080HSR3 MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AFT26P100-4WSR3 MRF8P26080HSR3
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Product Family Airfast RF Power LDMOS —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS, Dual) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Configuration Symmetrical Doherty, Dual-section —
Frequency Range 2496 MHz to 2690 MHz 2500 MHz to 2700 MHz
Test Frequency 2.69 GHz —
Drain Voltage (Vds) 28 V (typical), 65 V (maximum rating) —
Average Output Power 22 W (Doherty) —
Power Gain 15.1 dB (typical at 200 mA) —
Test Quiescent Current (Idq) 200 mA —
पैकेज NI-780S-4 (NI-780S-6 variant), ceramic air-cavity NI-780S-4 (ceramic, flange-mount, air-cavity)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount / Chassis Mount (bolt-down) Through-hole flange-mount with screw attachment
Technology LDMOS, lateral diffused Gen8 LDMOS (Silicon, Lateral)
Operating Mode Class AB / Doherty —
Polarity N-Channel —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Average Output Power (P3dB) — 14 W (W-CDMA, single-carrier)
Peak Output Power (CW) — 80 W
Drain-Source Voltage (VDSS max) — 65 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V nominal
Test Mode — Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA
Application Class — Class AB or Class C capable
Modulation Formats — W-CDMA, LTE, OFDM, multi-carrier
Lead Finish — Gold-plated (NiPdAu)
Lead-Free / RoHS — Compliant
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +150C (junction)

डेटाशीट और संसाधन

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