AUIRF7769L2TR vs AUIRF7640S2TR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AUIRF7769L2TR द्वारा Infineon और AUIRF7640S2TR द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
AUIRF7769L2TR - 100V 3.5mΩ 375A Automotive DirectFET MOSFET | Infineon
AUIRF7769L2TR ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AUIRF7769L2TR | AUIRF7640S2TR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> | 375 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V | 3.5 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation at T<sub>C</sub> | 125 W | — |
| Power Dissipation at T<sub>A</sub> | 3.3 W | — |
| पैकेज | DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint) | DirectFET SB (Surface Mount) |
| Profile Height | 0.7 mm | — |
| Technology | Automotive HEXFET Power MOSFET (trench) | HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: min/max junction temperature] | -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | — | 5.8 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 21 A |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | — | 2.4 W |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 30 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 36 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 7.3 nC |
| Primary Application | — | Automotive Class D audio amplifier output stage |