AUIRF7769L2TR vs AUIRF7640S2TR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AUIRF7769L2TR tarafından Infineon ve AUIRF7640S2TR tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre AUIRF7769L2TR AUIRF7640S2TR
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> 375 A —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V 3.5 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Power Dissipation at T<sub>C</sub> 125 W —
Power Dissipation at T<sub>A</sub> 3.3 W —
Paket DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint) DirectFET SB (Surface Mount)
Profile Height 0.7 mm —
Technology Automotive HEXFET Power MOSFET (trench) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: min/max junction temperature] -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
RoHS Durumu Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin