AUIRF7769L2TR vs AUIRF7640S2TR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار AUIRF7769L2TR توسط Infineon و AUIRF7640S2TR توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر AUIRF7769L2TR AUIRF7640S2TR
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> 375 A —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V 3.5 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Power Dissipation at T<sub>C</sub> 125 W —
Power Dissipation at T<sub>A</sub> 3.3 W —
بسته‌بندی DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint) DirectFET SB (Surface Mount)
Profile Height 0.7 mm —
Technology Automotive HEXFET Power MOSFET (trench) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: min/max junction temperature] -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
وضعیت RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت