AUIRF7769L2TR vs AUIRF7640S2TR השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של AUIRF7769L2TR מאת Infineon ו AUIRF7640S2TR מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר AUIRF7769L2TR AUIRF7640S2TR
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> 375 A —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V 3.5 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Power Dissipation at T<sub>C</sub> 125 W —
Power Dissipation at T<sub>A</sub> 3.3 W —
מארז DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint) DirectFET SB (Surface Mount)
Profile Height 0.7 mm —
Technology Automotive HEXFET Power MOSFET (trench) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: min/max junction temperature] -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
סטטוס RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר