BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC022N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon और BSC084P03NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC084P03NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | 69 W |
| पैकेज | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| पिन काउंट | 8 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 14.9 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 78.6 A |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | — | 6.1 mOhm |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | -1.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 58 nC @ VGS = -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.19 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 110 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 1.52 nF |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| Technology Family | — | OptiMOS P3 |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |