BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC084P03NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC022N04LS6ATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W 69 W
پیکیج SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
پن کی تعداد 8 —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +175 C (junction) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
Technology Family — OptiMOS P3
MSL لیول — 1 (unlimited)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں