BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC022N04LS6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC084P03NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC084P03NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | 69 W |
| Paket | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 14.9 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 78.6 A |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | — | 6.1 mOhm |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | -1.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 58 nC @ VGS = -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.19 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 110 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 1.52 nF |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Technology Family | — | OptiMOS P3 |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |