BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC022N04LS6ATMA1 bằng Infineon và BSC084P03NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC022N04LS6ATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W 69 W
Hộp SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Số chân 8 —
Nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C (junction) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C
Technology Family — OptiMOS P3
Cấp MSL — 1 (unlimited)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá