BSC0993NDATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0993NDATMA1 द्वारा Infineon और BSC030N03MSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC0993NDATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| पैकेज | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Series | — | OptiMOS 3M |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +150°C |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |