BSC0993NDATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0993NDATMA1 bằng Infineon và BSC030N03MSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0993NDATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| Hộp | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Series | — | OptiMOS 3M |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +150°C |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |