BSC155N06NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC155N06NDATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC155N06NDATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC155N06NDATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (100V) |
| Configuration | Dual N-channel MOSFET array | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 194 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 15.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| पैकेज | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Lead-Free Plating | Yes | — |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | < 0.8 | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 214 W |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |