BSC155N06NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC155N06NDATMA1 bằng Infineon và BSC027N10NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC155N06NDATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC155N06NDATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (100V) |
| Configuration | Dual N-channel MOSFET array | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 194 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 15.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Hộp | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| Cấp MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Lead-Free Plating | Yes | — |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | < 0.8 | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 214 W |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |