BSC155N06NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC155N06NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 194 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Paket PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin