BSP315PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP88H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP315PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] 6 ohm typical at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) —
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Configuration — Single
ऑपरेटिंग तापमान — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

डेटाशीट और संसाधन

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