BSP315PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP315PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP88H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP315PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] 6 ohm typical at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Configuration — Single
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin